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當(dāng)前位置：首頁(yè)  >  產(chǎn)品展示  >  行業(yè)專用儀器  >  晶圓  >  3210美國(guó) UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓

美國(guó) UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓

簡(jiǎn)要描述：產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497 VX同號(hào)
美國(guó) UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓
P 型摻雜涉及將受體原子（如硼）引入本征（純）硅中。這些原子的價(jià)電子比硅少（3 個(gè)而不是 4 個(gè)），在晶格中形成“空穴"。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：3210
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 更新時(shí)間：2026-07-10
  • 訪  問(wèn)  量：133
產(chǎn)品分類PRODUCT

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產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497 VX同號(hào)

美國(guó) UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓

什么是 P 型摻雜？

P 型摻雜涉及將受體原子（如硼）引入本征（純）硅中。這些原子的價(jià)電子比硅少（3 個(gè)而不是 4 個(gè)），在晶格中形成“空穴"。

它如何提高導(dǎo)電性：

  • 空穴充當(dāng)電荷載流子。

  • 當(dāng)來(lái)自相鄰原子的電子跳入以填充它們時(shí)，這些空穴可以在晶格中移動(dòng)。

  • 空穴的這種運(yùn)動(dòng)本質(zhì)上是正電荷傳導(dǎo)。
    結(jié)果：添加的硼越多（在限制范圍內(nèi)），產(chǎn)生的孔就越多，電導(dǎo)率也就越高。


本征硅P 型摻雜硅
電荷載體電子和空穴大部分是 Holes
傳導(dǎo)率低高于 intrinsic
摻雜劑示例–硼、鎵
運(yùn)營(yíng)商類型平衡大多數(shù)：孔（積極）

浮子區(qū) （FZ） 6“?×25mm P 型 Si：P[100]，（7,025-7,865）Ohmcm， 1 SEMI 平面 我們有大量的初裝、測(cè)試和機(jī)械級(jí)未摻雜、低摻雜和高摻雜硅片 1" – 12“ 硅片 低摻雜和高摻雜 現(xiàn)貨供應(yīng)，隨時(shí)可以發(fā)貨。全硅片盒和部分硅片盒的示例包括：

美國(guó) UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓

超薄硅片

100mm P/B （100） 1-10 ohm-cm 25um 2um 薄硅也可用！

以下只是我們出售的晶圓規(guī)格之一！

  • 1“ 未摻雜硅 （100） >1,000 ohm-cm 250um DSP

  • 2 英寸 P/硼 （100） 1-10 歐姆-厘米 280 微米 SSP

  • 3“ N/磷 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP

  • 4“ 本征硅 （100） >20,000 ohm-cm 500um DSP

  • 6 英寸 P/B （111） <1 ohm-cm 300um SSP

  • 8“ 本征 （100） >5,000 ohm-cm 750um SSP

  • 12 英寸 P/B （100） 10-20 歐姆-厘米 DSP 850 微米

我們可以定制小批量的晶圓。我們可以把它們切成丁，把它們稀釋成 2um。我們有未摻雜、低摻雜和高摻雜硅襯底，始終備有庫(kù)存。

P 型硅

  • Si 項(xiàng)目 #1390 – 50.8mm P 型硼摻雜 （100） 0.001-0.005 ohm-cm 280um SSP Prime

  • Si 項(xiàng)目 #978 – 76.2mm P 型摻硼 （100） 1-10 ohm-cm 380um SSP Prime

  • Si 項(xiàng)目 #783 – 100mm P 型摻硼 （100） 10-20 ohm-cm 500um SSP Prime 

  • Si 項(xiàng)目 #2454 – 150mm P 型摻硼 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP

  • Si 項(xiàng)目 #2516 – 200mm P 型摻硼 （100） 24-36 ohm-cm 725um SSP




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